安世半导体的晶圆制造分工明确。其全球布局中，欧洲工厂（德国、英国）负责晶圆制造，中国工厂（东莞、无锡）负责封装测试。
安世半导体最主要、最核心的晶圆基地位于中国广东东莞，拥有庞大的晶圆厂，负责生产绝大部分芯片。
英国曼彻斯特保留了原来恩智浦的晶圆厂，会生产一部分芯片，特别是某些需要特殊工艺或作为产能补充的产品。
安世半导体上海公司生产晶圆，且正常工作，有自有12英寸晶圆产能，并得到国内供应链支持。
近期，安世半导体面临供应问题。10月26日起，其暂停向广东东莞工厂供应晶圆，安世中国子公司正加速转向国内晶圆供应商，如无锡新洁能、杭州士兰微电子、扬州扬杰电子以及上海鼎泰匠芯等。其中，上海鼎泰匠芯投资120亿元在上海建设的12英寸晶圆厂受关注，规划月产能达10万片，分三期建设，一期月产能4.5万片，技术节点涵盖0.18微米和0.11微米制程。不过，其一期产能低于安世德国汉堡工厂，短期内难以完全弥补供应缺口。安世中国已制定多项应急计划，拥有充足库存，正加快对新晶圆供应商的认证工作，预计从2026年起可无缝满足客户需求。
半导体晶圆的底部（背面）结构主要分为支撑基底、背面金属布线层、背面钝化层、功能性适配层四大类，不同制程场景下会额外增加临时支撑层或定制化功能结构。
1.原生衬底层：为晶圆的本体结构，材料包括单晶硅、碳化硅、氮化镓等，是整个晶圆的机械支撑基础。常规12英寸硅晶圆原生厚度为775μm，薄晶圆制程会通过背面减薄工艺将厚度降至20~100μm。
2.临时支撑层：针对薄晶圆制程，在完成背面减薄或背面制程后，通过聚合物粘接层将晶圆与玻璃支撑片临时结合，避免晶圆变形碎裂，后续封装前会剥离该支撑层。
1.通用型背面金属层：多采用钛/镍/金或钛/铜的叠层结构，总厚度通常为5~15μm，用于实现晶圆背面的电学导通，适配后续的植球、封装焊接工艺，同时作为辅助散热层传递芯片工作产生的热量。
2.功率器件专用背面金属层：针对IGBT、MOSFET等功率器件，会加厚背面金属层作为漏极电极，厚度可达30~50μm，提升大电流承载能力。
1.基础防护层：多采用氮化硅、氧化硅或聚酰亚胺涂层，厚度为0.5~2μm，用于隔绝水汽、杂质污染背面金属与衬底，避免发生电化学反应或性能衰减。
2.开窗预留区：部分制程会在钝化层预设开窗区域，露出背面金属层，用于后续探针测试、焊接或散热界面材料贴合。
1.散热增强层：高功率器件晶圆背面会沉积金刚石、石墨烯等高导热涂层，热导率可达1000W/(m·K)以上，大幅提升散热效率。
2.封装粘接层：晶圆级封装场景下，背面会涂覆导电胶或非导电胶，用于将晶圆与封装基板、散热底座粘接固定。
3.光刻对准标记：背面会制作高精度光刻对准标记，用于后续封装制程中的对位校准，提升封装精度。